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馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉
Surface Science, 287-288, p.806 - 810, 1993/00
被引用回数：10 パーセンタイル：52.41(Chemistry, Physical)X線光電子分光法やオージェ電子分光法等において観測される内殻軌道のエネルギーシフト(化学シフト)は、化学結合の形成による内殻軌道のポテンシャルシフト(始状態シフト)と内殻イオン化にともなう軌道電子の再配列の結果生じるエネルギー緩和(終状態シフト)の2つの要因で起こる。本研究では後者の軌道エネルギー緩和の効果を調べるため、遷移金属中に捕捉された希ガス原子の内殻光電子スペクトル、オージェ電子スペクトルのエネルギーシフトを種々の系について解析した。その結果、希ガス原子の内殻イオン化過程における軌道緩和エネルギーは、気相や表面吸着した希ガス原子に比べはるかに大きいことを見出した。また軌道エネルギー緩和の要因となる内殻正孔の遮蔽は、主として母体遷移金属のd電子により引き起こされること、希ガスの原子半径が大きいほど軌道緩和エネルギーが増大すること等を明らかにした。
横川 三津夫; 渡辺 健二*; 山本 浩康*; 藤崎 正英*; 蕪木 英雄
Computational Fluid Dynamics Journal, 1(3), p.337 - 346, 1992/10
直接シミュレーション・モンテカルロ法(DSMC法)は希薄流れから連続流れの範囲の気体流れの数値シミュレーション手法のひとつである。この方法では、多数の模擬分子を用いるため、非常に長い計算時間と大量のメモリを必要とする。本論文では、DSMC法の並列計算手法とその評価結果について述べる。遷移領域におけるキャビティ内流れの解析において、プロセッサ1台の計算時間と比較した結果、プロセッサ64台で約42倍の速度向上が達成された。また、プロセッサ間の通信時間とアイドル時間を計測し同じ粒子数をもつように領域分割することが重要であることを確認した。
馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉
表面科学, 13(7), p.421 - 427, 1992/09
3d系列の遷移金属に注入された希ガス原子(Ne,Ar,Kr,Xe)の内殻イオン化過程を光電子分光法により調べた。注入された希ガス原子の内殻軌道イオン化にともなう原子外緩和エネルギーは、母体金属のd電子数とともに増大する。金属中のXeの原子外緩和エネルギーの大きさは、金属表面に吸着した単層及び多層のXeの値より、むしろ母体金属自身の固相-気相間の緩和エネルギー差に近い。これらの事実は、金属中の希ガス原子のイオン化により生成した正孔が、母体金属のd電子により遮蔽されることを示している。また、同一の母体金属(Ti)の場合、原子外緩和エネルギーの大きさは、希ガス原子の原子番号の順(Ne
ArKrXe)に増大する。これは希ガスの原子半径が大きいほど、周辺金属の相互作用が大きく、d電子による正孔遮蔽効果が大きくなることから説明できる。
馬場 祐治; G.Dujardin*; P.Feulner*; D.Menzel*
表面科学, 13(5), p.244 - 248, 1992/07
白金(111)単結晶表面に吸着したアルゴン及びクリプトンに関し、電子衝撃による正イオンの脱離挙動を10~120eVのエネルギー範囲で調べた。Ar
の脱離が起こるための照射エネルギー閾値は83eVであり、これはAr
の生成及びそれに伴うArArからAr
r
又はAr
Arへの遷移による隣接イオンのクーロン反発力により説明できる。一方、Ar及びAr
の脱離は24.2,25.4,34及び50eVに閾値が認められた。最初の2つの閾値は、それぞれ、表面及びバルクのエキシトン(励起子)対の生成に対応する。脱離のエネルギー閾値及び脱離強度の吸着層依存性の解析により、エキシトン対生成による脱離の機構について議論した。
馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 66, p.424 - 432, 1992/00
被引用回数：7 パーセンタイル：60.99(Instruments & Instrumentation)3d,4d及び5d系列の遷移金属中にイオン注入された希ガス原子(Ne,Ar,Kr,Xe)の電子構造をX線光電子分光法(XPS)及びX線誘起オージェ電子分光法(XAES)により解析した。オージェパラメータ法により求めた注入希ガス原子の原子外緩和エネルギーは、同一金属中(Ti)の場合、NeArKrXeの順に増大する。一方、同一の希ガス原子(Xe)を異種の金属中で比較すると、金属のd電子数の増加とともに原子外緩和エネルギーが増大する傾向が認められた。またXeの原子外緩和エネルギーの絶対値は、金属原子自身の気相-固相間の原子外緩和エネルギー差と一致することから、Xe原子は、ターゲット金属自身と同等のポテンシャルを持つサイト、即ち金属原子の置換サイトに捕捉されることが明らかとなった。
渡辺 健二*; 鈴木 孝一郎*; 横川 三津夫; 山本 浩康; 蕪木 英雄
情報処理学会研究報告, 91(61), p.17 - 24, 1991/07
直接シミュレーション・モンテカルロ法(DSMC法)は、希薄気体から連続流体に近い流れまで、幅広い領域の流れのシミュレーションに有効な手法である。しかし、多数の模擬分子を取り扱う場合には、非常に長い計算時間とメモリを必要とする。本報告では、DSMC法における効率的な並列処理の手法とその性能評価の結果について述べる。分散メモリ型高並列計算機AP1000でのキャビティ流れの解析において、プロセッサ64台を使用した場合、1台での処理時間と比較して約42倍の速度向上が得られた。
渡辺 健二*; 横川 三津夫; 山本 浩康; 蕪木 英雄
JAERI-M 90-192, 32 Pages, 1990/11
本報告書は、直接シミュレーション・モンテカルロ法(DSMC法)による希薄流れ解析コードの高速化について述べる。一般に、DSMC法を用いたコードはベクトル化が困難であると言われている。ここでは、DSMC法を用いて希薄気体から連続体に近い流れのベクトル計算機での高速シミュレーションを目的として、ベクトル化のための数値処理法を検討し、コードの最適化を図った。この結果、フリージェット流の解析において、FACOM VP-100でのベクトル化コードのベクトル・モードでの処理時間は、オリジナルコードのスカラ・モードでの処理時間に対し、1/25以上に短縮された。
塚田 和明*; 大槻 勤*; 末木 啓介*; 初川 雄一*; 吉川 英樹*; 遠藤 和豊*; 中原 弘道*; 篠原 伸夫; 市川 進一; 臼田 重和; et al.
Radiochimica Acta, 51(2), p.77 - 84, 1990/00
核科学研究のためのマイクロ・コンピュータで制御できる迅速イオン交換装置を開発した。これは、反応槽、ガスジェット輸送部、インジェクター、イオン交換部、放射線源作製部および放射能測定部から成る。本装置を用いて、
Cfの自発核分裂で生成するサマリウムの陰イオン交換分離を約8分以上行うことができた。また本装置は加速器を用いた重イオン核反応で生成する短寿命アクチノイドの分離にも適用可能である。
K.W.Lee*; 伊藤 芳明*; 藤谷 善照*; 宮崎 哲郎*; 苗木 賢二*; 荒殿 保幸*; 佐伯 正克; 立川 圓造
J.Phys.Chem., 90, p.5343 - 5347, 1986/00
11~77Kにおいて、Ar(Kr又はXe)-C
H
-CD混合固体中での反跳トリチウム原子の反応を調べた。水素(HT+DT)の相対収率はエタン濃度の減少とともに増加したが、エタン(CH
T+CDT)の収率は前者を補償するように減少した。この結果は水素がホット及び熱反応の両方で生成しているのに対し、エタンはホット反応のみで生じていることを示している。熱化したトリチウム原子は11~20Kにおいても量子力学的にトンネル効果によりエタンから水素を引抜くことが分った。さらに、CHとCDからのH/D引抜き反応の同位体効果を11~20Kと77Kで比較するとともに、ホットトリチウム原子の希ガス固体中での衝突当りの平均エネルギー損失の評価を行った。
大塚 昭夫*; 小牧 研一郎*; 藤本 文範*; 川面 澄; 小沢 国夫; 嶋田 寿一*
Japanese Journal of Applied Physics, 22(8), p.1306 - 1309, 1983/00
被引用回数：1 パーセンタイル：11.45(Physics, Applied)2MV及び5.5MV Van de Graaff加速器を用いて、ラザフォード後方散乱法によりアモルファスSi中にドープされた数%の希ガス原子のHeイオンに対する阻止能を測定した。Heイオンのエネルギーは8%Arを含んだ試料では1.0~2.6Mev、7%Kr又は4%Keを含んだ試料では1.0~1.6MeVであった。Bragg則とZieglerによるSiの阻止能を用いて希ガスの阻止能を求めることができた。その結果、イオンエネルギー1MeV近辺ではガス状態に対するZiegierの値より約30%低くなることが明らかとなった。
佐藤 伸*; 岡崎 清*; 大野 新一
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 47(9), p.2174 - 2180, 1974/09
被引用回数：37二体衝突理論を使って、100keVの電子照射によって希ガス中に生じるイオン化と励起のG値を計算した。求まったG値は、He、Ne、Ar、Kr、Xeの順につぎのようになった。電子のG値、2.27、2.19、2.81、3.20、3.45。一重項励起のG値、0.85,1.55,1.92,1.64,1.51。三重項励起のG値、0.17,0.07,0.13.0.23,0.39。計算方法と計算結果の意味について論じた。
矢島 聖使; 市坡 純雄; 亀本 雄一郎; 柴 是行
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 34(1), p.133 - 136, 1961/00
被引用回数：9抄録なし
-hematite to 
-hematite市坡 純雄
粉体および粉末冶金, 8(4), p.137 - 144, 1961/00
抄録なし
矢島 聖使; 市坡 純雄; 亀本 雄一郎; 柴 是行
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 33, P. 426, 1960/00
抄録なし
